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澳洲幸运5官网:SiC晶柱雷射切割研发联盟签署MOU 攻第三代半导体商机

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随着5G、卫星通讯、电动车的浪潮来临,对于高频率运算、快速充电的产品需求极速上升,化合物半导体的发展为各国竞相发展的技术重点,金属中心与雷科、真兴科技携手合作,10日签署「SiC 晶柱雷射切割研发联盟合作备忘录」,将共同开发碳化矽晶柱雷射切割设备,取代传统利用钻石线切割SiC晶锭。

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雷科集团总经理黄萌义表示,雷科长期投入开发各项雷射切割设备,已经累积雷射切割相关技术。近年随着电动车、5G等新兴应用对于功率元件效能需求更高,传统矽与砷化镓半导体的温度、频率、功率已达瓶颈,难以提升电压和运转速度;化合物半导体材料「碳化矽」和「氮化镓」,SiC更可应用于1000伏特以上的高压电,如用在高铁、风力发电、电动车等,碳化矽可大幅提升效率。本次研发联盟的成立,就是希望国内能掌握雷射晶柱切割自主技术,协助台湾抢占化合物半导体庞大商机。

真兴科技创办人邱俊荣指出,化合物半导体是未来各国抢占新能源、电动车,乃至太空科技、国防产业,不能忽视的上游关键技术。真兴在雷射光学光路设计拥有独特技术能量,未来与联盟伙伴携手开发雷射晶柱切割设备,突破国外雷射切割专利壁垒,持续维持台湾在半导体产业的技术领先优势。

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    2022-01-18 00:04:39 

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